这是由于高动能(低结合能)的光电子的非弹性碰撞部分和高结合能(低动能)的光电子的非弹性碰撞的本底叠加起来,会导致在高结合能(低动能)端的本底要比低结合能(高动能)端的本底更高一些。
如图中所示,O和C的1s的光电子都会产生非弹性散射的本底,但是C峰的本底会叠加到O峰的左边(高结合能端)。
O和C的1s的光电子都会产生非弹性散射的本底,都在他们的谱峰的左边,但是O左边的本底是由O本身的光电子的本底和C峰的本底叠加形成的,而C的左边的本底比较低,是由于仅有C本身的本底,没有O的本底。
除本底之外,XPS谱峰中还有其他的伴线结构,如光电子输送过程中因非弹性散射(损失能量)而产生的能量损失峰,俄歇电子峰等结构。如上图中所示,C 1s峰左侧画红圈的区域为特征的能量损失峰,是由于光电子和固体材料中的其他电子交互作用形成的等离子激元所造成的。
本期我们简单介绍了XPS中本底的产生和形状,后续我们也将会介绍其他的伴线结构。